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반도체 변형 게이지
제품 상세 정보
| 상품 이름 | 변형 게이지 부하전지 | 특징 | 미세압 센서 |
|---|---|---|---|
| 실리콘 | 4.7×0.22×0.02 | 기판 사이즈 | 7x4 |
| 하이 라이트 | 평행한 빔 부하 셀,고정밀도 부하전지,반도체 변형 게이지 부하전지 |
||
제품 설명
반도체 변형 게이지 부하전지 고정밀도 미세압 센서
반도체 긴장은 스파이를 측정합니다
기술 반도체 변형 게이지는 제작 센서를 위해 사용됩니다 스트레스 분석의 사용된 탄성 요소의 일반적으로. 저항과 낮은 가로지른 효과 기타 등등의 민감한 계수 덜 기계적 이력현상과 넓은 범위. 그것은 응력 분포와 성분을 측정하는데 사용될 수 있습니다...
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기술
반도체 변형 게이지는 제작 센서를 위해 사용됩니다 스트레스 분석의 사용된 탄성 요소의 일반적으로. 저항과 낮은 가로지른 효과 기타 등등의 민감한 계수 덜 기계적 이력현상과 넓은 범위. 그것은 응력 분포와 분력을 측정하는데 사용될 수 있습니다 - 전기적인 변환.
기계류 항공을 위해 그것이 또한 익숙해져 있을 수 있는 정적 측정 더 복잡한 스트레스 분석과 같은 교량 공정구조를 수송하는 것은 포일 센서의 비선형 보상,비선형성 보상을 충족시킵니다. 회사는 단지 다양한 정규적 변형 게이지를 생성할 수 있고, 당신에게 온도 아니오 기초 종류와 같은 제품을 위한 다른 요구를 제공하지 않을 것입니다.
특징
포일 센서의 비선형 보상,비선형성 보상
기계류 항공 선박 다리
미세압 센서
기술 데이터
반도체 변형 게이지 특성
모델 번호 | SYP-15 | SYP-30 | SYP-60 | SYP-120 | SYP-350 | SYP-600 | SYP-1000 |
계기 resistance() | 15±5% | 30±5% | 60±5% | 120±5% | 350±5% | 600±5% | 1000±5% |
코드 | B,C | B,C | B,C | A,B,C | B,C | Ｃ | C,D |
구조 | 0,F2,F3,F4,F5 | 0,F2,F3,F4,F5 | 0,F2,F3,F4,F5 | 0,F2,F3,F4,F5 | 0,F2,F3,F4,F5 | 0,F2,F3,F4,F5 | Ｃ :0,F2,F3,F4,F5 |
Ｋ | 100 | 100 | 120 | 한 :150 | 150 | 200 | Ｃ :200 |
TCR (%/C) | 0.10 | 0.10 | 0.15 | 0.13 | 0.30 | 0.45 | Ｃ :0.40 |
TCGF (%/C) | -0.12 | -0.12 | -0.18 | 한 :-0.35 | -0.35 | -0.48 | Ｃ :-0.48 |
최대 작동 경향(mA) | 50 | 50 | 50 | 한 :20 | 30 | 20 | 20 |
긴장 제한(m) | 5000 | 5000 | 5000 | 5000 | 5000 | 5000 | 5000 |
차원
(기판 없이) 반도체 변형 게이지 | |||
코드 | 구성
| 사이즈 (밀리미터) | 게이지 저항 |
A
| 1.27×0.22×(0.020~0.030) | 15,30,60,120 | |
비
| 3.8×0.22×(0.020~0.030) | 15,30,60,120,350 | |
Ｃ
| 4.7×0.22×0.02 | 15,30,60,120,350,600,1000 | |
Ｄ
| 6×0.22×0.02 | 1000 | |
① (기판 없이) 반도체 변형 측정 게이지의 동선 길이는 6 밀리미터 보다 더 짧습니다 ; | |||
예 : SYP 1000 Ｃ F3
설명하세요 : P-시 반도체 변형 측정 게이지
저항 : 1000;
Ｋ : 200;
실리콘 : 4.7×0.22×0.02;
기판 사이즈 : 7×4
기록 : 다른 요구조건이 있거나 기판 또는 실리콘 스트립의 사이즈가 계약에 명시되어야하면
뜨거운 태그 : 반도체 긴장은 제조들인 스파이, 중국, 공급자들, 중국에서 만들어지는 공장을 측정합니다
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